為了考察改性對(duì)氫氧化鎂晶體生長(zhǎng)的影響，有學(xué)者就改性前后氧化鎂XRD作了對(duì)比譜圖，從中可知，原位改性后的氧化鎂平均晶粒尺寸均比未改性化鎂顯減小，分別為18.59(001)和22.93(101)。這表明硅烷偶聯(lián)劑在氫氧化鎂晶粒生成后接枝在氫氧化鎂晶粒的表面，對(duì)氫氧化鎂晶粒生長(zhǎng)產(chǎn)生影響，造成晶體結(jié)構(gòu)被破壞，氫氧化鎂晶粒之間發(fā)生粘連團(tuán)聚。同時(shí)對(duì)比改性前后I001/I101可以發(fā)現(xiàn)，改性后的I₀₀₁/I₁₀₁顯著變小，這將影響合成出的氧化鎂添加進(jìn)材料后在材料中的分散性。原位改性后的氧化鎂表面實(shí)現(xiàn)了高水性硅烷偶聯(lián)劑-十二烷基三甲氧基硅烷用量為2.0%時(shí)，氫氧化鎂活化指數(shù)達(dá)到99%以上；而氫氧化鎂的晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，改性對(duì)氫氧化鎂晶體生長(zhǎng)影響較大，造成晶體結(jié)構(gòu)破壞，晶粒之間發(fā)生粘連團(tuán)聚。而通過(guò)硅烷偶聯(lián)劑接枝在氫氧化鎂的表面，減少了粒子團(tuán)聚的發(fā)生，提高了氫氧化鎂的分散性。