有學(xué)者為了考察改性對氫氧化鎂晶體生長的影響，對此作出研究，發(fā)現(xiàn)改性前后氧化鎂XRD對比譜圖，改性前后氫氧化鎂樣品在(001)面和(101)面對應(yīng)的2θ衍射角與衍射峰強度基本不變。改性氫氧化鎂平均晶粒尺寸均比未改性氧化鎂小，分別為18.59(001)和22.93(101)這表明硅烷偶聯(lián)劑在氫氧化鎂晶粒生成后接枝在氫氧化鎂晶粒的表面，對氫氧化鎂晶粒生長有一定的遏制，但沒有進(jìn)入到氫氧化鎂晶體的內(nèi)部進(jìn)而影響到其結(jié)晶行為。根據(jù)相關(guān)實驗數(shù)據(jù)可知，為一步合成氫氧化鎂，由于硅烷偶聯(lián)劑接枝在氫氧化鎂的表面，使其在干態(tài)下均勻分布，減少了粒子團(tuán)聚的發(fā)生，提高了氫氧化鎂的分散性。根據(jù)氫氧化鎂樣品的紅外光譜圖可以看出，改性氫氧化鎂樣品分別在2920cm^-1和2850^-1cm處出現(xiàn)了甲基不對稱伸縮振動吸收峰和亞甲基對稱伸縮振動吸收峰，硅烷偶聯(lián)劑與氫氧化鎂表面形成了Si-O-Mg化學(xué)鍵。因此，一步法表面改性后的氫氧化鎂表面吸附了非極性的有機官能團(tuán)，由親水性轉(zhuǎn)變?yōu)槭杷浴?/p>