在半導(dǎo)體電子級(jí)的硅微粉材料中，由于通常都是先將硅微粉提純到很高的純度，比如11個(gè)9 或者10個(gè)9 左右，之后再進(jìn)行摻雜，所以，硅微粉材料中的雜質(zhì)比較單純。例如，用來(lái)進(jìn)行生產(chǎn)單晶硅太陽(yáng)能電池片的多晶硅材料，硅微粉的純度通常可以達(dá)到9個(gè)9的純度，然后對(duì)硼摻雜到大約1ppma的量級(jí)，而這時(shí)，其它的雜質(zhì)都會(huì)小于 1ppb，這種情況下，如果硼的雜質(zhì)濃度有變化，比如萬(wàn)一摻雜的比例弄錯(cuò)了，或者結(jié)品的情況不理想導(dǎo)致各個(gè)部分有差異。其實(shí)并不需要對(duì)單晶硅棒的各個(gè)部位進(jìn)行取樣也能知道硼的濃度分布如何。方法很簡(jiǎn)單，就是測(cè)量電阻率的分布，就可以知道各個(gè)部位的硼的含量了。因?yàn)?，硼的濃度就代表了載流子的濃度，直接與電導(dǎo)率量正比關(guān)系，所以在各個(gè)部位的硼的濃度是與電阻率星倒數(shù)關(guān)系的。同理，對(duì)于純粹的N型半導(dǎo)體，也可以知道磷的濃度分布。