物理法多晶硅微粉，又稱UNG ，其金屬雜質(zhì)含量通常在幾個(gè)ppm以上，以原子濃度來(lái)說(shuō)，都在每立方厘米10的16次方、甚至10的17次方以上。其實(shí)，經(jīng)過(guò)調(diào)查，針對(duì)硅微粉的金屬雜質(zhì)的表現(xiàn)，目前還沒(méi)有一個(gè)統(tǒng)一的認(rèn)識(shí)。有學(xué)者對(duì)國(guó)際上關(guān)于物理法多晶硅微粉中的雜質(zhì)問(wèn)題的學(xué)術(shù)研究作了一個(gè)比較全面的匯總。金屬雜質(zhì)的存在，才是所制成的大陽(yáng)能電池會(huì)衰減的必要條件。目前國(guó)際比較流行的看法是因?yàn)榕鹧鯊?fù)合體的存在。金屬雜質(zhì)在硅中會(huì)形成深能級(jí)，就是，距離導(dǎo)帶和價(jià)帶都很遠(yuǎn)的能級(jí)。這些深能級(jí)距離導(dǎo)帶和禁帶都很遠(yuǎn)，所以不但這些雜質(zhì)本身的能級(jí)對(duì)提高導(dǎo)電性沒(méi)有什么關(guān)系，而且，一旦其它的淺能級(jí)（如磷或硼）載流子遇到這類深能級(jí)的雜質(zhì)，會(huì)被劫持住，從而影響效率。