硅微粉沉積時的溫度和真空度過高都會提高Si 膜的折射率，但是同時也會導(dǎo)致吸收系數(shù)的提高，這種現(xiàn)象在可見光波段比較明顯，而在紅外波段非常微弱。目前光學(xué)薄膜制備中膜料硅微粉的沉積溫度大多在100℃~400℃之間，真空度多在3×10- 3 Pa～1×10- 2 Pa 左右。為了兼顧與Si 配合的低折射率材料的沉積條件，防止殘余氣體對硅微粉 的氧化作用，選擇一個相對較低的溫度185℃作為沉積溫度，選擇相對較高的真空度3×10-3 Pa 作為沉積時的真空度。采用石墨坩堝經(jīng)過試驗，調(diào)整電子槍的參數(shù)，可以獲得Si 較為穩(wěn)定的沉積速率。沉積速率越高,所得薄膜折射率越高, 消光系數(shù)越大，而沉積速率過低會導(dǎo)致薄膜致密性差。經(jīng)過光譜測試和薄膜強度測試，發(fā)現(xiàn)將Si 的沉積速率設(shè)定為0.2 nm/s 時Si 膜的消光系數(shù)較低、薄膜致密性較好。