由于多晶硅微粉材料中的雜質(zhì)成分較復(fù)雜，其中不少雜質(zhì)會與氧發(fā)各種各樣的復(fù)合作用。比較為多人知道的是硼氧復(fù)合體，這目前被專家認為是治金法多晶硅微粉材料電池衰減的主要原因。氧與鐵、鋁都會發(fā)生一些作用，形成載流子復(fù)合中心，或者因氧與某些雜質(zhì)的復(fù)合物造成的沉淀導(dǎo)致最格缺陷，而影響少子壽命，這些造成衰減的可能性更加大些。采用退火工藝可以減少氧的副作用，氧沉淀的產(chǎn)生減少了氧在硅中的固溶度，從而也減少了氧的濃度。但是，實際的機理應(yīng)當(dāng)有待于更翔實的分析。不過，研究表明，只要氧濃度低于15ppmw，硅中可以不會生成氧淀。由子氧的外層只有兩個電子，因而有理論認為氧也是施主元素，而且，在某些溫度范圍內(nèi)可以有效地生成熱施主。但雖然試驗中觀案到了氧的熱施主的施主雜質(zhì)能級。但對于熱施主的形成的原子結(jié)構(gòu)和形態(tài)則完全沒有解決。